電子回路Ⅰ 第1回(2006/10/16)

電子回路Ⅰ 第３回(2007/10/29) 電界効果トランジスタの動作原理 トランジスタを用いた回路のバイアス

今日の内容

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電界効果トランジスタ(FET)とは？ FETの種類 接合型FETの構造 接合型FETの動作原理 MOSFETの構造 MOSFETの動作原理

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バイアス回路

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電界効果トランジスタとは？ 

電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor) 電界によってキャリア（電子、正孔）の流れる経 路を変化させて、電流量を制御する素子 原理的には電界（＝電圧）のみ印加

バイポーラトランジスタでは、ベース電流によって コレクタ電流を制御

FETの種類 •接合型FET キャリアの移動する経路の幅を変化させて、電流を制御

•接合型FET キャリアの密度を変化させて、電流を制御 集積回路、メモリなどで頻繁に利用されている

どちらのタイプでもエンハンスメント型とデプレーション型がある

接合型FETの構造（nチャネル） ゲート ソース

ドレイン

pn接合（前回の資料より） p

接合直前

n

アクセプタイオン

接合後

ドナーイオン

空乏層 （空間電荷層）

電位

接合直後

拡散によりキャリアが移動する 位置

pn接合に逆バイアスを印加 p

n

電位

空乏層 （空間電荷層）

位置

バイアスを印加 することにより、 キャリアの存在 できない領域を 制御できる

接合型FETの動作原理 ゲート電圧(VGS)によってチャネル幅を制御 VGSは逆バイアスなので、ゲート－ソース間に電流は流れない ゲート ドレイン ソース

MOSFETの構造（nチャネル） MOS ・・・ Metal – Oxide - Semiconductor

ゲート電圧とチャネル VTのTはthresholdの頭文字

VG